Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲(chǔ)模塊。這是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條，DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長(zhǎng)一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲(chǔ)器。就目前而言，適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V(使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外)，適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V(使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片)，二者不能混合使用。

　　DIMM與SIMM比較

　　DIMM(Dual Inline Memory Module，雙列直插內(nèi)存模塊)與SIMM(single in-line memory module，單邊接觸內(nèi)存模組)相當(dāng)類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨(dú)立傳輸信號(hào)，因此可以滿足更多數(shù)據(jù)信號(hào)的傳送需要。同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內(nèi)存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個(gè)卡口，用來(lái)避免插入插槽時(shí)，錯(cuò)誤將內(nèi)存反向插入而導(dǎo)致燒毀;DDR DIMM則采用184Pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個(gè)卡口。卡口數(shù)量的不同，是二者最為明顯的區(qū)別。DDR2 DIMM為240pin DIMM結(jié)構(gòu)，金手指每面有120Pin，與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個(gè)卡口，但是卡口的位置與DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR內(nèi)存是插不進(jìn)DDR2 DIMM的，同理DDR2內(nèi)存也是插不進(jìn)DDR DIMM的，因此在一些同時(shí)具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不會(huì)出現(xiàn)將內(nèi)存插錯(cuò)插槽的問(wèn)題。

　　FB-DIMM

　　因?yàn)槟壳暗膬?nèi)存主要是采用傳統(tǒng)的64位并行設(shè)計(jì)，即北橋芯片的內(nèi)存控制器與內(nèi)存模塊之間均通過(guò)64位的并行總線來(lái)數(shù)據(jù)交換，但此類并行總線設(shè)計(jì)有一個(gè)最大的缺點(diǎn)：就是相鄰線路很容易受到干擾。這是因?yàn)槟壳暗腄IMM采用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中，每個(gè)芯片與內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)總線都有一個(gè)短小的線路相連，這樣會(huì)造成電阻抗的不連續(xù)性，從而影響信號(hào)的穩(wěn)定與完整，頻率越高或芯片顆粒越多，影響也就越大。這也是目前基于此類并行體系的內(nèi)存如DDR頻率低下的原因。Small Outline Dual Inline Memory Module(縮寫(xiě)SODIMM):小外形雙列直插式內(nèi)存模塊