今年的繼任者驍龍835相比去年晚了一周時間，那么驍龍835有哪些值得期待的點(diǎn)呢?

　　高通驍龍835

　　①更先進(jìn)的制程

　　高通官方宣稱驍龍835采用的是三星半導(dǎo)體最新的10nm制程工藝，三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%。

　　而根據(jù)半導(dǎo)體制程工藝的規(guī)律來看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升級，10nm是半導(dǎo)體技術(shù)從14/16nm節(jié)點(diǎn)向7nm過渡的中間節(jié)點(diǎn)，7nm工藝會采用非常先進(jìn)的EUV極紫外光刻技術(shù)，而10nm算是一個不太重要的節(jié)點(diǎn)，其實(shí)包括臺積電的10nm工藝也只面向移動端，所以采用臺積電代工工藝的廠商英偉達(dá)明年的GTX系列顯卡依然會是16nm工藝。

　　②更強(qiáng)的CPU

　　據(jù)傳言此次驍龍835采用8核心設(shè)計(jì)，彌補(bǔ)了驍龍820CPU多線程弱的缺點(diǎn)，而如果是八核設(shè)計(jì)，那驍龍835的單核性能注定不會特別強(qiáng)悍，至少不會超過蘋果A10芯片的單核性能，要不然功耗問題難以解決。

　　③更強(qiáng)的GPU

　　伴隨著VR時代的到來，VR對手機(jī)圖形處理能力的要求要比以往高得多，驍龍820搭載的Adreno 530GPU即使發(fā)布一年了性能依然強(qiáng)悍，在手機(jī)端的性能僅次于目前蘋果A10的GPU，而驍龍835上的新一代Adreno GPU無疑會更加強(qiáng)悍。

　　由于蘋果A10的GPU相比高通驍龍820/821上的Adreno 530領(lǐng)先幅度并不是太大，所以驍龍835的GPU性能超過蘋果A10基本是沒有問題的，何況A10還是16nm工藝，但由于iOS與安卓平臺的優(yōu)化不同實(shí)際游戲表現(xiàn)就另說了。

　　④全新的圖形API：Vulkan

　　其實(shí)高通驍龍820/821就已經(jīng)支持Vulkan這一革命性的API，只不過Vulkan的生態(tài)還不夠完善，所以除了三星曾經(jīng)在S7 edge上演示過Vulkan游戲其他的筆者就沒啥印象了，真正讓Vulkan為大眾所知的是華為海思麒麟960芯片上的Mali G71GPU支持Vulkan。

　　之所以說Vulkan是革命性的，是因?yàn)樗鼘PU性能的釋放起到至關(guān)重要的作用，改善CPU對GPU性能的限制，使多核GPU真正發(fā)揮出應(yīng)有的性能。

　　⑤更快的充電速度

　　高通同步發(fā)布新一代 QC4.0 快速充電技術(shù)。相比 QC 3.0 充電速度提升 20%，并支持 Type-C。能夠?qū)崿F(xiàn)“充電 5 分鐘，通話五小時”。大約 15 分鐘內(nèi)，可沖入 50% 的電量。另外，QC4.0 有更好的電源管理系統(tǒng)，能夠有效降低充電造成的電池?fù)p耗。

　　⑥深度學(xué)習(xí)的人工智能

　　驍龍820內(nèi)置Zeroth神經(jīng)處理引擎，能夠自動根據(jù)用戶拍攝的照片進(jìn)行分類，相信驍龍835會更進(jìn)一步，帶來更加實(shí)用的人工智能，畢竟如今包括谷歌在內(nèi)的企業(yè)都在重視人工智能，人工智能在未來會顛覆很多現(xiàn)有的東西。

　　⑦更強(qiáng)的ISP/DSP

　　隨著雙攝手機(jī)的普及，預(yù)計(jì)驍龍835會對雙攝有更好的ISP支持方案，但具體如何實(shí)現(xiàn)只有等驍龍835真正發(fā)布時才知道了，而新一代的Hexagon DSP預(yù)計(jì)會帶來更好的待機(jī)表現(xiàn)。

　　⑧更快的基帶

　　筆者今年去過幾次高通的沙龍會，高通高管透露其下一代基帶是下行速率高達(dá)1Gbps的X16基帶，無疑好馬配好鞍，驍龍835會首次采用X16基帶。但在這里筆者要潑一下冷水，因?yàn)楦咄ǖ目蛻舨⒉粌H僅是手機(jī)廠商，還包括電信運(yùn)營商，所以1Gbps下載速率的帶寬顯然不是為主流人群準(zhǔn)備的，要想達(dá)到這么高的下載速率還需要運(yùn)營商的支持，至少在中國，明年三大運(yùn)營商肯定不會商用高達(dá)1Gbps下行速率的網(wǎng)絡(luò)，但不得不說高通的技術(shù)實(shí)力很強(qiáng)，雖然普通消費(fèi)者用不到，但能夠做出這么牛的基帶就是一種能力，是技術(shù)實(shí)力的展現(xiàn)。

　　⑨更高的內(nèi)存帶寬

　　據(jù)傳言驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運(yùn)存，帶寬提升明顯。

　　驍龍835可能依然仍存在的不足：

　　①峰值性能的持續(xù)性問題

　　CPU發(fā)熱降頻一直是老生常談，目前在CPU領(lǐng)域?qū)Πl(fā)熱降頻做得最好的是英特爾以及蘋果公司，英特爾的酷睿系列芯片以及蘋果的A系列芯片的峰值性能持續(xù)時間令人印象深刻，而反觀高通/海思/聯(lián)發(fā)科的芯片一發(fā)熱就降頻，導(dǎo)致性能下降，這一點(diǎn)在玩游戲時尤為明顯。功耗控制表現(xiàn)出色的驍龍820在峰值性能持續(xù)性上依然不如蘋果A9，所以驍龍835會有何改進(jìn)值得期待。

　　②三星電子的產(chǎn)能是否能跟上

　　去年高通發(fā)布驍龍820之后在很長一段時間內(nèi)的供貨一直很緊張，最直接的原因是由于量產(chǎn)初期產(chǎn)能還沒跟上，高通把大部分的產(chǎn)能都供給三星S7/S7 edge這兩款機(jī)器，導(dǎo)致國產(chǎn)廠商拿不到貨，而明年初這一問題可能依然會持續(xù)，不過到了2018年這一問題有望緩解，有傳言高通會在2018年的半導(dǎo)體7nm制程節(jié)點(diǎn)回歸臺積電代工陣營，而同期三星的全網(wǎng)通基帶也已成熟，所以高通與三星可能就此分道揚(yáng)鑣，筆者預(yù)計(jì)三星Galaxy S9會全部采用自家Exynos系列芯片。

　　③驍龍835是否會像驍龍810出現(xiàn)過熱問題

　　至于驍龍835是否有一定幾率出現(xiàn)驍龍810過熱問題，筆者認(rèn)為，10nm相較14/16nm的工藝進(jìn)步不算是非常大，技術(shù)難度相對較小，7nm才是重要的節(jié)點(diǎn)，另外再加上高通已經(jīng)對64位架構(gòu)芯片駕輕就熟，所以綜合評估來看驍龍835不大可能會出現(xiàn)過熱問題。

　　另外值得關(guān)注的點(diǎn)：哪家手機(jī)廠商首發(fā)驍龍835其實(shí)并無意義

　　至于今年底或者明年初哪家手機(jī)廠商首發(fā)驍龍835，其實(shí)這更多的是象征意義，實(shí)際意義不大，因?yàn)槊髂牝旪?35真正首批開始大規(guī)模供應(yīng)的手機(jī)可能依然會是三星的S8系列，一方面，高通驍龍835是三星半導(dǎo)體代工的，另一方面，高通拋棄臺積電選擇三星作為芯片代工廠商也是有條件的，在三星還沒搞定全網(wǎng)通基帶的情況下依然會在有全網(wǎng)通需求的國家比如中國、美國市場采用高通芯片，在驍龍835芯片量產(chǎn)初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他廠商未必能拿到很多貨。

　　除了三星S8，目前已經(jīng)確認(rèn)還有明年初發(fā)布的小米6、OPPO Find 9也均將搭載驍龍835處理器。下面，我們主要簡單來分別介紹下驍龍835一些值得重點(diǎn)關(guān)注的特性部分。

　　10nm工藝QC4.0快充 三星S8首發(fā)驍龍835嗎?

　　近日，高通公司宣布將與三星電子合作共同開發(fā)下一代驍龍835處理器，最大特色是采用三星10納米制程工藝打造，同時支持Quick Charge 4.0快充技術(shù)。

　　三星S8或首發(fā)搭載高通驍龍835

　　高通方面表示，由于采用全新的10納米制程工藝，驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能，從而提升移動設(shè)備的用戶體驗(yàn)。

　　據(jù)悉，今年10月份，三星就率先公布了10納米工藝的量產(chǎn)，與上代14納米工藝相比，10納米可以減少30%的芯片尺寸，同時提升27%的性能以及降低40%的功耗。

　　借助10納米工藝制程，高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進(jìn)一步優(yōu)化移動設(shè)備的機(jī)身內(nèi)部結(jié)構(gòu)，比如增加電池或是實(shí)現(xiàn)更輕薄的設(shè)計(jì)等等。此外，制程工藝的提升也會改善電池續(xù)航能力。

　　目前驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計(jì)搭載驍龍835處理器的設(shè)備將會在2017年上半年陸續(xù)出貨。

　　除了驍龍835處理器之外，高通還正式發(fā)布了全新的Quick Charge 4.0快充技術(shù)，支持驍龍835處理器。QC 4.0將會在前幾代方案的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升充電效率，官方稱充電5分鐘可以延長手機(jī)使用時長5小時，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C的支持，適配范圍更廣泛。

　　網(wǎng)友熱議：

　　麒麟960剛剛趕上高通821的性能，這還沒有兩個月，835又要出來了，你讓花粉情何以堪??

　　華為的麒麟面對驍龍就已經(jīng)十分吃力了。這個835對于華為會是一個巨大的挑戰(zhàn)了。

　　高通驍龍835是幾核?高主頻重回八核

　　雖然八核心設(shè)計(jì)的驍龍810沒有獲得好評，四核心設(shè)計(jì)的驍龍820卻大獲成功。但在下一代驍龍835身上，高通又要重回八核心設(shè)計(jì)了。在曝光Helio X30/P35規(guī)格的同時，業(yè)內(nèi)人士@草包科技還透露了驍龍835和驍龍660的具體規(guī)格，有興趣的不妨一看。

　　高通驍龍835是幾核?高主頻重回八核

　　具體來說，驍龍835將采用10nm八核心設(shè)計(jì)，大小核均為Kryo架構(gòu)，大核心頻率3GHz，小核心頻率2.4GHz，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝、QC4.0以及LPDDR4x四通道內(nèi)存，整合了Cat.16基帶。

　　雖然高通表示搭載驍龍835的手機(jī)會在明年初上市，但@草包科技的表格顯示要到明年二季度才能看到驍龍835手機(jī)。

　　接著是驍龍660，同樣是八核心設(shè)計(jì)，不過工藝換成了14nm，架構(gòu)為A73和A53組合，GPU為Adreno 512，支持2K屏。

　　其余規(guī)格還包括雙通道LPDDR4x內(nèi)存、LTE Cat.10基帶，QC4.0、以及UFS 2.1等等。此外，搭載驍龍660的手機(jī)有望在明年第三季度和我們見面。

　　高通驍龍835基帶規(guī)格公布 搭載X16 LTE千兆基帶

　　高通今天在深圳舉辦技術(shù)會議，官方明確表示，下一代驍龍800處理器將搭載X16 LTE基帶。

　　其實(shí)X16 LTE首次公布在今年2月，它是全球首款移動平臺千兆Modem，用以取代驍龍820/821上的X12基帶。所謂的下一代驍龍800系列應(yīng)該至少包括剛剛宣布的驍龍835芯片。

　　X16基帶支持Cat.16，下行速率可達(dá)1Gbps，也就是千兆，而X12為600Mbps(Cat.12 DL)，150Mbps(Cat.13 UL)。

　　當(dāng)然，要達(dá)到理論峰值，需要支持4x20MHz CA、256-QAM和4×4MIMO，澳洲電信在9月份聯(lián)合高通和愛立信實(shí)測了979Mbps的下載和129Mbps的上傳。

　　關(guān)于驍龍835的其他特性，目前確定的還有三星10nm FinFET制程，性能提升27%等，外界認(rèn)為這是一款8核Big.Little芯片，大核是Kryo 200，主頻逼近3GHz。