| 現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，現(xiàn)代的其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、 8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、 4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、 32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系）；I 代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP- II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns 〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns 〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100 LGs早已被HY現(xiàn)代納入麾下，但還是有必要單獨(dú)介紹下它。LG現(xiàn)有的內(nèi)存條編號(hào)后綴為7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100規(guī)格的，速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度參數(shù)不同，LGs 7J編號(hào)在1073222，LGs 7K編號(hào)是 1072222，兩者的主要區(qū)別是第三個(gè)反應(yīng)速度的參數(shù)上。而8才是真正的8ns PC 100內(nèi)存，但國(guó)內(nèi)沒有出現(xiàn)。現(xiàn)在市面上還有很多10K的LGs 內(nèi)存，速度比7J和7K差很遠(yuǎn)，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的來(lái)賣。而7J和7K經(jīng)過測(cè)試比較，7K比7J的更優(yōu)秀，上 133MHz時(shí)7K比7J更穩(wěn)定，但7K的市面上不多見。 LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX GM代表為L(zhǎng)GS的產(chǎn)品。 72代表SDRAM。 第1、2個(gè)X代表容量，類似現(xiàn)代，16為16Mbits，66為64Mbits。 第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，一般為4、8、16等，不補(bǔ)0。 第5個(gè)X代表Bank，2對(duì)應(yīng)2個(gè)Bank，4對(duì)應(yīng)4個(gè)Bank，和現(xiàn)代的不一樣，屬于直接對(duì)應(yīng)。 第6個(gè)X表示是第幾人版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到"E"了。 第7個(gè)X如果是字母"L"，就是低功耗，空白則為普通。 "T"為常見的TSOPⅡ封裝，現(xiàn)在還有一種BLP封裝出現(xiàn)，為"I"。 最后的XX自然是代表速度： 7.5：7.5ns〔133MHz〕 8：8ns〔125MHz〕 7K：10ns〔PC-100 CL2或3〕 7J：10ns〔100MHz〕 10K：10ns〔100MHz〕 12：12ns〔83MHz〕 15：15ns〔66MHz〕 |
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