逆變橋功率開(kāi)關(guān)管門極關(guān)斷箝位電路

2019-11-03 10:00:17

字體：大中小

供稿：網(wǎng)友

甘肅張掖河西學(xué)院(734000) 劉振來(lái)

杭州浙江大學(xué)電力電子技術(shù)研究所(310027)

葉浩屹胡磊何湘寧

　　不間斷電源(Uninterrupted Power Supply，簡(jiǎn)稱UPS)是一種穩(wěn)頻、穩(wěn)壓、純凈、不間斷的高質(zhì)量電源，隨著電子和電器設(shè)備對(duì)電網(wǎng)質(zhì)量要求的不斷增高，它已經(jīng)成為許多重要場(chǎng)合必備的輔助電源。 1逆變電路及其控制

　　正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)在逆變器的控制中得到了廣泛應(yīng)用，正弦脈寬調(diào)制方式很多，在此不一一描述。本電路采用的是倍頻式的調(diào)制方式，下面簡(jiǎn)單加以介紹。

　　全橋逆變電路的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。在倍頻式調(diào)制方式中，四個(gè)開(kāi)關(guān)管的門極脈沖信號(hào)Vg1～Vg4的產(chǎn)生方法如圖2所示。四個(gè)開(kāi)關(guān)管門極脈沖信號(hào)Vg1～Vg4與兩橋臂中點(diǎn)A、B間電壓VAB的波形也如圖2所示。

　　由圖2可以看出，在倍頻式調(diào)制方式中，A、B間電壓頻率是開(kāi)關(guān)管工作頻率的兩倍，這種調(diào)制方式的好處在于在不增加開(kāi)關(guān)管工作頻率的情況下，可以減小逆變器輸出濾波器的尺寸。它的缺點(diǎn)在于四個(gè)門極脈沖信號(hào)各不相同，提高了控制電路和脈沖發(fā)生電路的復(fù)雜性。本文提及的逆變電路開(kāi)關(guān)管門極SPWM信號(hào)是由數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)產(chǎn)生的，對(duì)于數(shù)字控制電路而言，倍頻式調(diào)制方式所帶來(lái)的電路復(fù)雜性可以忽略。

　　該電路采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)管。由于IGBT寄生電容和線路寄生電感的存在，同一橋臂的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)關(guān)工作時(shí)相互會(huì)產(chǎn)生干擾，這種干擾主要體現(xiàn)在開(kāi)關(guān)管門極上。以上管開(kāi)通對(duì)下管門極產(chǎn)生的干擾為例，實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路及其等效電路如圖3所示。

　　實(shí)際電路中，虛線框部分是IR2110的輸出推挽電路，RS、RP分別是T2門極串、并聯(lián)電阻，Zg是門極限幅穩(wěn)壓管。當(dāng)上管T1開(kāi)通時(shí)，下管T2門極信號(hào)必然為低電平，即M2導(dǎo)通，M2兩端可等效為一個(gè)電阻只RM，這個(gè)電阻與RS、RP一起等效為電阻及Rg。

　　Rg=(RM+Rs)／／Rp≈Rs(RM <
　　Zg兩端相當(dāng)于開(kāi)路。電容Cge和Cgc都是T2的寄生電容。電感L是功率電路線路的等效寄生電感，Lg是驅(qū)動(dòng)電路的線路電感。

　　在T1開(kāi)通前，由于互補(bǔ)門極信號(hào)死區(qū)的存在，T1、T2均處于關(guān)斷狀態(tài)，橋臂中點(diǎn)電壓是高壓母線電壓VBUS的一半。當(dāng)T1開(kāi)通時(shí)，中點(diǎn)電壓立刻上升，很高的dv/dt使L和T2的寄生電容發(fā)牛振蕩，由于Lg和Rg的存在且Cge的阻抗也并不足夠低，在T2門極會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓尖刺。這個(gè)電壓尖刺幅值隨母線電壓VBUS和負(fù)載電流的增大而增大，可能達(dá)到足以導(dǎo)致T2瞬間誤導(dǎo)通的幅值，這時(shí)橋臂就會(huì)形成直通，造成電路燒毀。同樣地，當(dāng)T2開(kāi)通時(shí)，T1的門極也會(huì)有電壓尖刺產(chǎn)生。

　　通過(guò)減小Rs，和改善電路布線可以使這個(gè)電壓尖刺有所降低，但均不能達(dá)到可靠防止橋臂直通的要求。

　　2門極關(guān)斷箝位電路

　　針對(duì)前面的分析，本文將提出一種門極關(guān)斷箝位電路，通過(guò)在開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路中附加這種電路，町以有效地降低上述門極尖刺。帶有門極關(guān)斷箝位電路的驅(qū)動(dòng)電路如圖4所示。

　　門極關(guān)斷箝位電路由MOSFET管Mc1和Mc2、Mc1門板下拉電阻R c1和Mc2門極下拉電阻R c2組成。實(shí)際上該電路是由MOSFET構(gòu)成的兩級(jí)反相器。當(dāng)Mc1門極為高電平時(shí)，Mc1導(dǎo)通，Mc2因門極為低電平而關(guān)斷，不影響功率開(kāi)關(guān)管的正常導(dǎo)通；當(dāng)Mc1門極為低電平時(shí)，Mc1關(guān)斷，Mc2因門極為高電平而飽和導(dǎo)通，從而在功率開(kāi)關(guān)管的門極形成了一個(gè)極低阻抗的通路，將功率開(kāi)關(guān)管的門極電壓箝位在0V，基本上消除了上文中提到的電壓尖刺。

　　在使用這個(gè)電路時(shí)，要注意使Mc2 D、S與功率開(kāi)關(guān)管G、E間的連線盡量短，以最大限度地降低功率開(kāi)關(guān)管門極寄生電感和電阻。在電路板的排布上，Mc2要盡量靠近功率開(kāi)關(guān)管，而Mc1、Rc1和Rc2卻不必太靠近Mc2，這樣既可以發(fā)揮液電路的作用，也不至于給電路板的排布帶來(lái)很大困難。

　　用雙極利晶體管(如8050)同樣可以實(shí)現(xiàn)-上述電路的功能。雙極瓔晶體管是電流則驅(qū)動(dòng)，其基極必須要串聯(lián)電阻。為了加速其關(guān)斷，同時(shí)防止其本身受到干擾，基極同樣需要并聯(lián)下拉電阻，這樣就使電路更加復(fù)雜。同時(shí)，要維持雙極型晶體管飽和導(dǎo)通，其基極就必須從電源抽取電流，在通常的應(yīng)用場(chǎng)合這并無(wú)太大影響，但在自舉驅(qū)動(dòng)并且是SPWM的應(yīng)用場(chǎng)合，這些抽流會(huì)大大加重自舉電容的負(fù)擔(dān)，容易使自舉電容上的電壓過(guò)低而影響電路的正常工作。因此選用MOSFET來(lái)構(gòu)成上述門極關(guān)斷箝位電路。

　　圖5是在沒(méi)有門極關(guān)斷箝位電路的情況下，直流母線電壓為100V時(shí)T2門極信號(hào)的波形。町以看到在門極有一個(gè)電壓尖刺，這個(gè)尖刺與門極脈沖的時(shí)間間隔剛好等于死區(qū)時(shí)間，由此可以證明它是在同一橋臂另一開(kāi)關(guān)管開(kāi)通時(shí)產(chǎn)生的。