儲單元分為兩類：SLC(Single Level Cell 單層單元)和MLC(Multi-Level Cell多層單元)。此外，SLC閃存的優點是復寫次數高達100000次，比MLC閃存高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制芯片都校驗和智能磨損平衡技術算法，使得每個存儲單元的寫入次數可以平均分攤，達到100萬小時故障間隔時間(MTBF)。

　　對MLC和SLC兩大架構現在網上存在一個普遍的認識誤區，那就是大家都認為MLC架構的NAND閃存是劣品，只有SLC架構的NAND閃存才能在質 量上有保障。殊不知采用MLC架構的NAND閃存產品在2003年就已經投入市場使用，至今也沒有見哪位用戶說自己曾經購買的大容量CF、SD卡有質量問 題。可能你會說這是暫時的，日后肯定出問題，那么我們就先來回憶一下MLC的發展歷程以及SLC目前的發展狀況再來給這個假設做定論吧。

　　SLC技術，存取原理上SLC架構是0和1兩個充電值，即每Cell只能存取1bit數據，有點兒類似于開關電路，雖然簡單但卻 非常穩定。如同電腦的CPU部件一樣，要想在一定體積里容納更多的晶體管數，就必須提高生產工藝水平，減小單晶體管體積。目前SLC技術受限于低硅效率問 題，要想大幅度提高制程技術就必須采用更先進的流程強化技術，這就意味著廠商必須更換現有的生產設備，投入大不說而且還是個無底洞。而MLC架構可以一次 儲存4個以上的充電值，因此擁有比較好的存儲密度，再加上可利用現有的生產設備來提高產品容量，廠商即享有生產成本上的優勢同時產品良率又得到了保證，自 然比SLC架構更受歡迎。