據外媒報道，英特爾日前在業績電話會議上透露，為了進一步探索芯片生產工藝，公司將在今年建立一座7nm試驗工廠。這座工廠雖然產能有限，但卻為未來7nm芯片的生產奠定了基礎。

英特爾宣布將試驗生產7nm芯片（圖片來自baidu）

“這條試驗生產線是為了搞清楚如何進行芯片的量產。”Mercury Research首席分析師Dean McCarron說道，“一旦確定了制作工藝，其他的工廠就會進行復制。”英特爾表示，他們將試圖憑借著7nm工藝回到2年生產周期，同時使用更智能的芯片設計。

英特爾介紹，7nm工藝將為芯片帶來更大的設計變化，使其變得更小也更節能。英特爾計劃使用奇特的III-V材料（比如氮化鎵）來進行芯片生產，在提高性能速度的同時實現更長續航。

此外，英特爾還希望利用7nm去緩解他們在14/10nm處理器上遇到的一些挑戰。據悉，他們將會在生產中引入極紫外線（EUV）工具，來幫助進行更加精細的功能蝕刻。但在此之前，這項技術的實裝已經被延期數次。

英特爾的試驗工廠將會測試7nm芯片生產工藝。雖然他們并未提及會在何時開始這種芯片的量產，但至少不會在未來2-3年內。

目前，包括Globalfoundries和三星在內的芯片廠商也開始了在7nm工藝上的探索。Globalfoundries表示，他們將在2018年開始7nm芯片的生產，ARM也發布了7nm芯片的設計工具。但目前我們并不清楚Globalfoundries是否會進行7nm芯片的測試生產，還是直接開始大批量生產。